【CNMO科技消息】近日，据韩媒报道，SK海力士已将位于韩国清州的M15X新工厂（被誉为“HBM4专用工厂”）的量产时间表大幅提前4个月，计划于明年2月开始投入用于HBM4的1b纳米制程DRAM量产晶圆，原定时间为6月。初期产能约1万片晶圆，并计划在年底前扩大至数万片规模。目前，相关生产设备正在加紧投入与安装。
这一激进举措被普遍解读为SK海力士针对核心客户英伟达的需求做出的先发应对。英伟达下一代AI加速器“Rubin”预计将于明年下半年出货，其性能提升的关键在于搭载新一代的HBM4内存。SK海力士已于去年9月率先完成HBM4客户样品开发并交付英伟达，目前正与英伟达及代工厂台积电紧密合作，进行基于先进封装技术CoWoS的系统集成与优化测试，以确保GPU与HBM4在信号时序、功耗和散热上的完美协同。
与此同时，全球HBM市场竞争日趋激烈。三星电子也已向英伟达提供HBM4样品，目前正处于优化测试阶段；美光则宣称其明年HBM4产能已被全部预订。内存三巨头围绕英伟达Rubin平台订单的争夺已全面展开。
据悉，英伟达最终供应商选定及份额分配结果预计将于明年初揭晓，功耗效率、发热稳定性、良率及大规模供应能力将成为关键评估指标。三星电子近期正全力提升其HBM工艺良率，以期在竞争中赢得优势。
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